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由于P的价电子直径比C的价电子直径大，重点P原子会突出石墨烯平面，导致六方碳架的结构畸变。     总比电容中的EDLC电容和赝电容的贡献可以通过以下等式(Dunns方程)从CV曲线中计算出来:i = k1v + k2v1/2，部位其中i是固定电位下的测量电流，部位v是扫描速率，k1和k2分别代表电容过程和扩散过程。

和典 ▲图1掺杂异原子的三维石墨烯材料的功能设计。型缺陷  ▲图3 3-DNAGNs石墨烯粉末的合成过程示意图(A)和结构表征(B-F)[94]。射线收集这些综述分别为3D电极和柔性器件的设计提供了积极的指导意义。

但P1sXPS光谱的高分辨扫描只能识别简单模型的P-C键和P-O键(见图8B)，图谱详细的氧官能团需要通过FT-IR光谱确认。2）基于针对性的设计案例，完成总结了3D石墨烯、3DMXene等3D纳米片的最新制备和应用进展。

3）系统总结了基于3D打印技术（或其他技术）的3D纳米片多样化电极（微交叉电极、国网工作多层骨架电极、类纤维电极）的设计策略和全固态超级电容器应用。

特别是N-6和N-Q键合有两个和三个sp2碳原子，重点可以为π体系贡献一个或两个电子，提高石墨烯材料的导电性。本文系统综述了异原子掺杂三维石墨烯材料的制备方法及其在超级电容器中的应用，部位包括异原子掺杂石墨烯的制备方法、部位三维石墨烯材料的制备方法，以及单掺杂、双掺杂和三掺杂石墨烯在超级电容器中的设计原理和案例分析。

k1和k2可以通过绘制v1/2与iv1/2的关系曲线，和典从斜率和y截距获得，转换公式为:iv-1/2= k1v1/2+ k2。型缺陷 (D-F)N掺杂大介孔(~20nm)空心碳纳米球。

n掺杂石墨烯网络为电子传输提供了高导电路径，射线收集可以提高高功率密度超级电容器的倍率性能。同时，图谱在Ni催化石墨化过程中，KOH作为成孔剂被同步引入，用于碳的活化蚀刻。